APT5020SVFRG
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Microchip APT5020SVFRG

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型号

APT5020SVFRG

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APT5020SVFRG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power MOS V FREDFET N-Channel 500V 26A 3-Pin TO-268

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APT5020SVFRG
APT5020SVFRG Microchip Power MOS V FREDFET N-Channel 500V 26A 3-Pin TO-268

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APT5020SVFRG详情

Microchip APT5020SVFRG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    D3 [S]

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    621-15-1-3-8-37

  • Approvals

    cCSAus, CE, FM, NACE

  • Manufacturer

    NOSHOK

  • Continuous Drain Current Id

    26

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    APT5020

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    26A (Tc)

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    500 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    2 V

  • Pd - Power Dissipation

    300 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 30 V, + 30 V

  • Unit Weight

    0.218699 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Brand

    微芯片技术

  • Qg - Gate Charge

    225 nC

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    200 mOhms

  • RoHS

    Details

  • Id - Continuous Drain Current

    26 A

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    1.43

  • Drain Current-Max (ID)

    26 A

  • 系列

    POWER MOS V®

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    纯哑光锡

  • 附加功能

    FREDFET

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    245

  • Reach合规守则

    compliant

  • 输出量

    1-5 VDC

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    300

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 准确性

    0.25 %

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    200mOhm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4440 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    225 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    500 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    6-30 VDC

  • 产品类别

    MOSFET

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.2 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    104 A

  • DS 击穿电压-最小值

    500 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1300 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    -

  • 产品类别

    MOSFET

  • 电气连接

    1/2 NPT Male 6 ft flying leads

  • 知识产权评级

    IP67

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