Microchip APT5024SVRG

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 months ago)

底架

Surface Mount, Through Hole

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

500 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

50 ns

Package Description

D3PAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT5024SVRG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Drain Current-Max (ID)

22 A

Risk Rank

5.26

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

纯哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING

最大功率耗散

300 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

compliant

额定电流

22 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

280 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

10 ns

漏源电压 (Vdss)

400 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

22 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.24 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

88 A

输入电容

3.6 nF

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

1210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

140 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅