Microchip APT50GN120B2G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

底架

通孔

引脚数

3

房屋材料

Polyamide (PA46), Nylon 4/6, Glass Filled

位置或引脚数量(网格)

32 (2 x 16)

触点材料 - 配套

铍铜

触点材料 - 柱子

磷青铜

Contact Finish Mating

Gold

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

134 A

Base Product Number

APT50GN120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

800V, 50A, 2.2Ohm, 15V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

RoHS

Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

503

包装

Bulk

零件状态

活跃

终端

Wire Wrap

类型

DIP, 0.9 (22.86mm) Row Spacing

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

543 W

技术

Si

额定电流

3A

间距 - 配套

0.100 (2.54mm)

触点表面处理 - 柱子

Gold

触点电阻

--

元素配置

Single

功率耗散

543

输入类型

Standard

功率 - 最大

543 W

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

134 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

端子柱长度

0.500 (12.70mm)

间距--柱子

0.100 (2.54mm)

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 50A

连续集电极电流

134

IGBT类型

NPT, Trench Field Stop

闸门收费

315 nC

集极脉冲电流（Icm）

150 A

Td（开/关）@25°C

28ns/320ns

开关能量

4495µJ (off)

特征

封闭框架

产品类别

IGBT晶体管

触点表面处理厚度 - 配套

10.0µin (0.25µm)

触点表面处理厚度 - 柱子

10.0µin (0.25µm)

材料可燃性等级

UL94 V-0

辐射硬化

无

无铅

无铅