注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥101.047129
10
¥95.327483
100
¥89.931588
500
¥84.841118
1000
¥80.03879
APT50GP60B2DQ2G详情
Microchip APT50GP60B2DQ2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3 Variant
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
150 A
Base Product Number
APT50GP60
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
POWER MOS 7®
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
输入类型
Standard
功率 - 最大
625 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 50A
IGBT类型
PT
闸门收费
165 nC
集极脉冲电流(Icm)
190 A
Td(开/关)@25°C
19ns/85ns
开关能量
465µJ (on), 635µJ (off)
产品类别
IGBT晶体管
APT50GP60B2DQ2G拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。