Microchip APT50GT120B2RDLG

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

80-LQFP

底架

通孔

供应商器件包装

80-TQFP (14x14)

Memory Types

Volatile

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

RoHS

Compliant

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

--

包装

Tray

零件状态

Obsolete

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

694 W

技术

SARAM

电压 - 供电

4.5 V ~ 5.5 V

基本部件号

IDT70825

内存大小

128Kb (8K x 16)

元素配置

Single

访问时间

25ns

内存格式

RAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

106 A

辐射硬化

无