APT50GT60BRG详情
Microchip APT50GT60BRG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-247 [B]
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
B7515
Manufacturer
Burndy
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
110 A
Base Product Number
APT50GT60
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
46 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
365 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
1.15
Part Package Code
TO-247AD
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
Thunderbolt IGBT®
包装
Tube
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
子类别
IGBTs
技术
Si
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
446 W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
IGBT晶体管
JEDEC-95代码
TO-247AD
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 50A
集电极电流-最大值(IC)
110 A
IGBT类型
NPT
集电极-发射器电压-最大值
600 V
闸门收费
240 nC
集极脉冲电流(Icm)
150 A
Td(开/关)@25°C
14ns/240ns
开关能量
995µJ (on), 1070µJ (off)
产品类别
IGBT晶体管
APT50GT60BRG拓展信息
Microchip Technology
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