Microchip APT56F60B2

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Base Product Number

APT56F60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

1040W (Tc)

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

190 ns

Package Description

TO-247, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT56F60B2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.26

Part Package Code

TO-247AB

Drain Current-Max (ID)

56 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

纯哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

1.04 kW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.04 kW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

65 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110mOhm @ 28A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

280 nC @ 10 V

上升时间

75 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

60 A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

56 A

漏极-源极导通最大电阻

0.13 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

210 A

输入电容

11.3 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

1580 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1040 W

场效应管特性

-

最大rds

110 mΩ

辐射硬化

无