Microchip APT56M50B2

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

T-MAX™

Package

JHSN_DRIV_VSD-II

Manufacturer Part Number

VS211132B-0P7L3

Manufacturer

Johnson Controls

Mounting

Panel

Base Product Number

APT56M50

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

780W (Tc)

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Typical Turn-On Delay Time

38 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Pd - Power Dissipation

780 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

0.208116 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Forward Transconductance - Min

43 S

Channel Mode

Enhancement

Brand

Microchip Technology / Atmel

Qg - Gate Charge

220 nC

Tradename

Power MOS 8

Rds On - Drain-Source Resistance

85 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

100 ns

Id - Continuous Drain Current

56 A

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

500 V

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

780 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

深度

21.3125

额定电流

56 A

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

780 W

接通延迟时间

38 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 28A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8800 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

220 nC @ 10 V

上升时间

45 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

MOSFET

连续放电电流(ID)

56 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最高频率

320 Hz

漏源击穿电压

500 V

输入电容

8.8 nF

场效应管特性

-

漏源电阻

85 mΩ

最大rds

100 mΩ

输入电压(交流电)

208 VAC

产品类别

MOSFET

宽度

40

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅