Microchip APT58F50J

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

HC-49/US

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Base Product Number

APT58F50

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

58A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

540W (Tc)

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT58F50J

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.37

Part Package Code

ISOTOP

Drain Current-Max (ID)

58 A

操作温度

-10°C ~ 70°C

系列

SXTHM2

尺寸/尺寸

0.524 L x 0.197 W (13.30mm x 5.00mm)

无铅代码

有

类型

兆赫晶体

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED

最大功率耗散

540 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

24 MHz

频率稳定性

±50ppm

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

30 Ohms

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

负载电容

19pF

操作模式

Fundamental

功率耗散

540 W

箱体转运

ISOLATED

频率容差

±50ppm

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

340 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

58 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.065 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

270 A

输入电容

13.5 nF

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

1845 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

最大rds

65 mΩ

座位高度(最大)

0.177 (4.50mm)