Microchip APT58M50J

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

Power Dissipation (Max)

540W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Package

Tube

Base Product Number

APT58M50

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

58A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Turn Off Delay Time

155 ns

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

500 V

Number of Elements

1

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

零件状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

电容量

0.9 pF

最大功率耗散

540 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

58 A

功率耗散

540 W

接通延迟时间

60 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

340 nC @ 10 V

上升时间

70 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

58 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

13.5 nF

场效应管特性

-

最大rds

65 mΩ

产品长度

1 mm

产品宽度

1 x 0.55 x 0.4

辐射硬化

无

无铅

无铅