Microchip APT58M50JU3

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-227

质量

30.000004 g

Continuous Drain Current Id

58

Package

Bulk

Base Product Number

APT58M50

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

58A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

543W (Tc)

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Typical Turn-On Delay Time

60 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

543 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Tradename

POWER MOS 8, ISOTOP

Rds On - Drain-Source Resistance

65 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

155 ns

Id - Continuous Drain Current

58 A

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

155 ns

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

543 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

接通延迟时间

60 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10800 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

340 nC @ 10 V

上升时间

70 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

58 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏源击穿电压

500 V

输入电容

10.8 nF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

65 mΩ

最大rds

65 mΩ

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

宽度

25.4 mm

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

辐射硬化

无