Microchip APT6010B2LLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Watertight

无

Manufacturer Part Number

CWL1520R

Approvals

UL

Manufacturer

Arrow Hart - Cooper Wiring Devices

Package

Tube

Base Product Number

APT6010

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

54A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

690W (Tc)

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

600 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

34 ns

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.25

Drain Current-Max (ID)

54 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

颜色

Black

附加功能

FAST SWITCHING, HIGH VOLTAGE

最大功率耗散

690 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

20 Amps

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

690 W

极数

3

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 27A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6710 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150 nC @ 10 V

上升时间

19 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

54 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

216 A

输入电容

6.71 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

最大rds

100 mΩ

连接类型

Receptacle

相位

3

辐射硬化

无

无铅

无铅