Microchip APT6010LLLG

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-264 [L]

房屋材料

Aluminum

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Outlets

(1) 120V Receptacle

Manufacturer Part Number

P-Q9#2-H3R0

Manufacturer

Grace Technologies

Package

Tube

Base Product Number

APT6010

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

54A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

Package Description

ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.28

Part Package Code

TO-264AA

Drain Current-Max (ID)

54 A

系列

POWER MOS 7®

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

附加功能

FAST SWITCHING, HIGH VOLTAGE

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 27A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6710 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

JEDEC-95代码

TO-264AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

54 A

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

216 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

690 W

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

知识产权评级

IP65