Microchip APT68GA60B2D40

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

2

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

121 A

Base Product Number

APT68GA60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

520 W

技术

Si

元素配置

Single

功率耗散

520

输入类型

Standard

功率 - 最大

520 W

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

2.5 V

最大集电极电流

121 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 40A

连续集电极电流

121

IGBT类型

PT

闸门收费

198 nC

集极脉冲电流（Icm）

202 A

Td（开/关）@25°C

21ns/133ns

开关能量

715µJ (on), 607µJ (off)

产品类别

IGBT晶体管