Microchip APT70GR120L

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

供应商器件包装

TO-264

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

RoHS

Compliant

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

160 A

Base Product Number

APT70GR120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

961 W

技术

Si

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

961 W

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

3.2 V

最大集电极电流

160 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 70A

IGBT类型

NPT

闸门收费

544 nC

集极脉冲电流（Icm）

280 A

Td（开/关）@25°C

33ns/278ns

开关能量

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

产品类别

IGBT晶体管

无铅

无铅