APT70GR65B2SCD30详情
Microchip APT70GR65B2SCD30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Contact Sizes
8
Wire Size
18 to 16
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650 V
RoHS
Compliant
操作温度
-65 to 200 °C
触点类型
Power
最大功率耗散
595 W
集电极发射器电压(VCEO)
2.4 V
最大集电极电流
134 A
屏蔽的
无
产品长度
13.47 mm
电镀厚度
1.27 µm
APT70GR65B2SCD30拓展信息
Microchip Technology
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