注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥131.093296
10
¥123.672917
100
¥116.672563
500
¥110.06846
1000
¥103.838168
APT75GN120B2G详情
Microchip APT75GN120B2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3 Variant
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
200 A
Base Product Number
APT75GN120
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
800V, 75A, 1Ohm, 15V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
功率耗散
833
输入类型
Standard
功率 - 最大
833 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 75A
连续集电极电流
200
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
425 nC
集极脉冲电流(Icm)
225 A
Td(开/关)@25°C
60ns/620ns
开关能量
8045µJ (on), 7640µJ (off)
产品类别
IGBT晶体管
APT75GN120B2G拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。