Microchip APT75GP120B2G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

底架

通孔

引脚数

3

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

100 A

Base Product Number

APT75GP120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

600V, 75A, 5Ohm, 15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

RoHS

Compliant

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Pd - Power Dissipation

1.042 kW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.580821 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

100 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Continuous Collector Current Ic Max

100 A

Tradename

POWER MOS 7 IGBT

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

1.042 kW

技术

Si

额定电流

100 A

配置

Single

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

1042 W

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

100 A

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 75A

连续集电极电流

100 A

IGBT类型

PT

闸门收费

320 nC

集极脉冲电流（Icm）

300 A

Td（开/关）@25°C

20ns/163ns

开关能量

1620µJ (on), 2500µJ (off)

产品类别

IGBT晶体管

宽度

16.26 mm

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅