Microchip APT77N60SC6

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D3Pak

Manufacturer Part Number

924

Manufacturer

IDEAL Industries

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

110 ns

Package

Bulk

Base Product Number

APT77N60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

77A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

481W (Tc)

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Typical Turn-On Delay Time

18 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Pd - Power Dissipation

481 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.218699 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Brand

微芯片技术

Qg - Gate Charge

260 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

37 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

110 ns

Id - Continuous Drain Current

77 A

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

481 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

481 W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

41mOhm @ 44.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.6V @ 2.96mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260 nC @ 10 V

上升时间

27 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

77 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

输入电容

13.6 nF

场效应管特性

-

最大rds

41 mΩ

产品类别

MOSFET

辐射硬化

无