Microchip APT8030JVFR

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer

ABB

Package

Tube

Base Product Number

APT8030

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

800 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

59 ns

Pd - Power Dissipation

450 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

2 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

300 mOhms

Id - Continuous Drain Current

25 A

Package Description

ISOTOP-4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT8030JVFR

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.27

Part Package Code

ISOTOP

Drain Current-Max (ID)

25 A

系列

POWER MOS V®

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

类型

MOSFET

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH VOLTAGE, FREDFET

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

450 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

25 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

450 W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

510 nC @ 10 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

800 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

25 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

25 A

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

输入电容

7.9 nF

DS 击穿电压-最小值

800 V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

450 W

场效应管特性

-

最大rds

300 mΩ

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

辐射硬化

无

无铅

无铅