APT80GA90LD40详情
Microchip APT80GA90LD40重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-264-3, TO-264AA
供应商器件包装
TO-264
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
145 A
Base Product Number
APT80GA90
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Pd - Power Dissipation
625 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
1.340411 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Continuous Collector Current at 25 C
145 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
900 V
操作温度
-
系列
POWER MOS 8™
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
625
输入类型
Standard
功率 - 最大
625 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
900 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.1V @ 15V, 47A
连续集电极电流
145
IGBT类型
PT
闸门收费
200 nC
集极脉冲电流(Icm)
239 A
Td(开/关)@25°C
18ns/149ns
开关能量
1652µJ (on), 1389µJ (off)
反向恢复时间(trr)
25 ns
产品类别
IGBT晶体管
APT80GA90LD40拓展信息
Microchip Technology
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