Microchip APTM20SKM04G

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

表面安装

NO

供应商器件包装

SP6

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

372

Package

Bulk

Base Product Number

APTM20

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

372A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

1250W (Tc)

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTM20SKM04G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.59

Drain Current-Max (ID)

372 A

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

R-XUFM-X5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5mOhm @ 186A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 10mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

28900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

560 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

漏极-源极导通最大电阻

0.005 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1488 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品类别

Discrete Semiconductor Modules