DN3545N3-G P005
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Microchip DN3545N3-G P005

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型号

DN3545N3-G P005

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-DN3545N3-G P005

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

DO-214AB, SMC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Bipolar Transistors MOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92

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DN3545N3-G P005
DN3545N3-G P005 Microchip RF Bipolar Transistors MOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92

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DN3545N3-G P005详情

Microchip DN3545N3-G P005重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    DO-214AB, SMC

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    DO-214AB (SMC)

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    Discontinued at Digi-Key

  • 厂商

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    DN3545N3-GP005

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    Microchip Technology Inc

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROCHIP TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.27

  • Drain Current-Max (ID)

    0.136 A

  • 系列

    1.5SMC

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 类型

    Zener

  • 应用

    Telecom

  • 附加功能

    高输入阻抗

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    O-PBCY-W3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 电源线保护

  • 电压 - 击穿

    31.4V

  • 功率 - 脉冲峰值

    1500W (1.5kW)

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    34A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    45.7V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    28.2V

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 单向通道

    1

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-92

  • 电容@频率

    -

  • 漏极-源极导通最大电阻

    20 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    450 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.74 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    15 pF

  • 环境耗散-最大值

    0.74 W

0个相似型号

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