参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
面板安装
包装/外壳
TO-247-3
越来越多的功能
Flange
外壳材料
Aluminum
供应商器件包装
TO-247-3
插入材料
-
后壳材料,电镀
-
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Product Status
活跃
厂商
Amphenol Aerospace Operations
Base Product Number
TVP00RF
Primary Material
Metal
Package
Bulk
Voltage, Rating
-
Continuous Drain Current Id
28
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Power Dissipation (Max)
-
Package Type
TO-247
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
700 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.9 V
Pd - Power Dissipation
90 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 23 V
Unit Weight
0.211644 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Channel Mode
Enhancement
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Qg - Gate Charge
38 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
111 mOhms
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
28 A
系列
MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ HD
操作温度
-65°C ~ 175°C
包装
Tube
终端
Crimp
连接器类型
Receptacle, Male Pins
定位的数量
88
颜色
Silver
应用
Military
紧固类型
Threaded
子类别
MOSFETs
额定电流
-
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
方向
N (Normal)
屏蔽/屏蔽
Shielded
入口保护
抗环境干扰
外壳完成
化学镍
外壳尺寸-插入
19-88
配置
Single
通道数量
1 Channel
功率耗散
90
外壳尺寸,MIL
-
电缆开口
-
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
漏源电压 (Vdss)
700 V
Vgs(最大值)
-
产品类别
MOSFET
信道型
N
场效应管特性
-
特征
-
产品类别
MOSFET
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
材料可燃性等级
-