Microchip Technology APT100GN60LDQ4G
- 收藏
- 对比
APT100GN60LDQ4G
1610-APT100GN60LDQ4G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-264-3
大陆
立即发货

IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHSView in Development Tools Selector
1最小包装量--
APT100GN60LDQ4G详情
Microchip Technology APT100GN60LDQ4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-264-3
安装类型
通孔
供应商器件包装
TO-264 [L]
RoHS
Details
Mounting Styles
通孔
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Continuous Collector Current at 25 C
229 A
Pd - Power Dissipation
625 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Continuous Collector Current Ic Max
229 A
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.373904 oz
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
229 A
Base Product Number
APT100
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
400V, 100A, 1Ohm, 15V
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
配置
Single
功率耗散
625
输入类型
Standard
功率 - 最大
625 W
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.85V @ 15V, 100A
连续集电极电流
229 A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
600 nC
集极脉冲电流(Icm)
300 A
Td(开/关)@25°C
31ns/310ns
开关能量
4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
宽度
20.5 mm
APT100GN60LDQ4G拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。