Microchip Technology APT1201R4SFLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

D3PAK-3

安装类型

表面贴装

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount, Through Hole

引脚数

3

供应商器件包装

D3 [S]

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Id - Continuous Drain Current

9 A

Rds On - Drain-Source Resistance

1.5 Ohms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Qg - Gate Charge

75 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

300 W

Channel Mode

Enhancement

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.218699 oz

Package

Tube

Base Product Number

APT1201

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

Turn Off Delay Time

27 ns

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

520 W

额定电流

9 A

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

300 W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120 nC @ 10 V

上升时间

5 ns

漏源电压 (Vdss)

1200 V

连续放电电流(ID)

9 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

7.9 nF

场效应管特性

-

最大rds

300 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅