Microchip Technology APT13F120B

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-247 [B]

质量

38.000013 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Pd - Power Dissipation

625 W

Channel Mode

Enhancement

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Id - Continuous Drain Current

14 A

Rds On - Drain-Source Resistance

910 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Qg - Gate Charge

145 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Tradename

Power MOS 8

Fall Time

24 ns

Forward Transconductance - Min

15 S

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

85 ns

Typical Turn-On Delay Time

26 ns

Unit Weight

0.211644 oz

Continuous Drain Current Id

14

Package

Tube

Base Product Number

APT13F120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

625W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

Turn Off Delay Time

85 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

APT13F120B

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.71

Part Package Code

TO-247AB

Drain Current-Max (ID)

13 A

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.2 Ω

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

625 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

13 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625

接通延迟时间

26 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4765 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

145 nC @ 10 V

上升时间

15 ns

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

14 A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

1.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50 A

输入电容

4.765 nF

DS 击穿电压-最小值

1200 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1070 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

910 mΩ

最大rds

1.4 Ω

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

宽度

16.26 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant

无铅

无铅