Microchip Technology APT13F120B

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

质量

38.000013 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Id - Continuous Drain Current

14 A

Rds On - Drain-Source Resistance

910 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Qg - Gate Charge

145 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

625 W

Channel Mode

Enhancement

Tradename

Power MOS 8

Fall Time

24 ns

Forward Transconductance - Min

15 S

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

85 ns

Typical Turn-On Delay Time

26 ns

Unit Weight

0.211644 oz

Continuous Drain Current Id

14

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

625W (Tc)

厂商

微芯片技术

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A (Tc)

Base Product Number

APT13F120

Package

Tube

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

Turn Off Delay Time

85 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT13F120B

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.71

Part Package Code

TO-247AB

Drain Current-Max (ID)

13 A

包装

Tube

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.2 Ω

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

625 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

13 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625

接通延迟时间

26 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4765 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

145 nC @ 10 V

上升时间

15 ns

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

14 A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

1.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50 A

输入电容

4.765 nF

DS 击穿电压-最小值

1200 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1070 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

910 mΩ

最大rds

1.4 Ω

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

宽度

16.26 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅