Microchip Technology APT18F60B

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

供应商器件包装

TO-247 [B]

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Id - Continuous Drain Current

19 A

Rds On - Drain-Source Resistance

310 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Qg - Gate Charge

90 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

335 W

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

18 ns

Forward Transconductance - Min

17 S

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

60 ns

Typical Turn-On Delay Time

20 ns

Unit Weight

0.211644 oz

Continuous Drain Current Id

19

Package

Tube

Base Product Number

APT18F60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

335W (Tc)

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

600 V

Turn Off Delay Time

60 ns

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

335 W

额定电流

18 A

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

335

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

390mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3550 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

90 nC @ 10 V

上升时间

23 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

19 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

3.55 nF

信道型

N

场效应管特性

-

最大rds

390 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅