Microchip Technology APT200GN60B2G

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

终端数量

3

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.45 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Continuous Collector Current at 25 C

283 A

Pd - Power Dissipation

682 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

1.340411 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

283 A

Base Product Number

APT200

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 200A, 1Ohm, 15V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT200GN60B2G

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.2

Part Package Code

TO-247AC

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

682

输入类型

Standard

功率 - 最大

682 W

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AC

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

最大耗散功率(Abs)

682 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.85V @ 15V, 200A

集电极电流-最大值(IC)

283 A

连续集电极电流

283

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

600 V

闸门收费

1180 nC

集极脉冲电流（Icm）

600 A

Td（开/关）@25°C

50ns/560ns

开关能量

13mJ (on), 11mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5 V