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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥44.554409
10
¥42.032457
100
¥39.653269
500
¥37.408739
1000
¥35.291269
Microchip Technology APT20GN60BDQ2G
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- 对比
APT20GN60BDQ2G
1610-APT20GN60BDQ2G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 20A TO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT20GN60BDQ2G详情
Microchip Technology APT20GN60BDQ2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247-3
厂商
微芯片技术
Package
Tube
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
40 A
Test Conditions
400V, 20A, 4.3Ohm, 15V
Base Product Number
APT20GN60
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Pd - Power Dissipation
136 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
系列
-
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
136 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 20A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
120 nC
集极脉冲电流(Icm)
60 A
Td(开/关)@25°C
9ns/140ns
开关能量
230μJ (on), 580μJ (off)
反向恢复时间(trr)
30 ns
产品类别
IGBT晶体管
APT20GN60BDQ2G拓展信息
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