Microchip Technology APT25GN120B2DQ2G
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APT25GN120B2DQ2G
1610-APT25GN120B2DQ2G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3 Variant
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IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
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APT25GN120B2DQ2G详情
Microchip Technology APT25GN120B2DQ2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3 Variant
RoHS
Details
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.208116 oz
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
67 A
Base Product Number
APT25GN120
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
功率耗散
272
输入类型
Standard
功率 - 最大
272 W
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 25A
连续集电极电流
67
IGBT类型
NPT, Trench Field Stop
闸门收费
155 nC
集极脉冲电流(Icm)
75 A
Td(开/关)@25°C
22ns/280ns
开关能量
2.15µJ (off)
APT25GN120B2DQ2G拓展信息
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