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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥32.189451
10
¥30.367405
100
¥28.648496
500
¥27.026884
1000
¥25.49706
Microchip Technology APT25GN120BG
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- 对比
APT25GN120BG
1610-APT25GN120BG
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT25GN120BG详情
Microchip Technology APT25GN120BG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-247 [B]
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Details
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.208116 oz
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
67 A
Base Product Number
APT25GN120
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
800V, 25A, 1Ohm, 15V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
39 ns
Operating Temperature-Min
-55 °C
Turn-off Time-Nom (toff)
560 ns
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
APT25GN120BG
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Risk Rank
1.99
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE
功率耗散
272
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
272 W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 25A
集电极电流-最大值(IC)
67 A
连续集电极电流
67
IGBT类型
沟渠现场停车
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
闸门收费
155 nC
集极脉冲电流(Icm)
75 A
Td(开/关)@25°C
22ns/280ns
开关能量
2.15µJ (off)
APT25GN120BG拓展信息
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