Microchip Technology APT25GR120BD15
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APT25GR120BD15
1610-APT25GR120BD15
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, 25A, TO247View in Development Tools Selector
1最小包装量--
APT25GR120BD15详情
Microchip Technology APT25GR120BD15重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
通孔
供应商器件包装
TO-247
RoHS
Details
Mounting Styles
通孔
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
75 A
Pd - Power Dissipation
521 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current Ic Max
75 A
Gate-Emitter Leakage Current
250 nA
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Tradename
Ultra Fast NPT-IGBT
Unit Weight
1.340411 oz
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
75 A
Base Product Number
APT25GR120
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
配置
Single
功率耗散
521
输入类型
Standard
功率 - 最大
521 W
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V, 25A
连续集电极电流
75 A
IGBT类型
NPT
闸门收费
203 nC
集极脉冲电流(Icm)
100 A
Td(开/关)@25°C
16ns/122ns
开关能量
742µJ (on), 427µJ (off)
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
APT25GR120BD15拓展信息
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