Microchip Technology APT30GT60BRDQ2G

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Continuous Collector Current at 25 C

64 A

Pd - Power Dissipation

250 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

1.340411 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

64 A

Base Product Number

APT30GT60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

32 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

345 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT30GT60BRDQ2G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.17

Part Package Code

TO-247AD

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Thunderbolt IGBT®

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

250

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

250 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

最大耗散功率(Abs)

198 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 30A

集电极电流-最大值(IC)

64 A

连续集电极电流

64

IGBT类型

NPT

集电极-发射器电压-最大值

600 V

闸门收费

7.5 nC

集极脉冲电流（Icm）

110 A

Td（开/关）@25°C

12ns/225ns

开关能量

80µJ (on), 605µJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5 V

反向恢复时间(trr)

22 ns