Microchip Technology APT42F50S

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

D3PAK-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

D3Pak

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Id - Continuous Drain Current

42 A

Rds On - Drain-Source Resistance

110 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Qg - Gate Charge

170 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

625 W

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

26 ns

Forward Transconductance - Min

32 S

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

80 ns

Typical Turn-On Delay Time

29 ns

Unit Weight

0.218699 oz

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

625W (Tc)

厂商

微芯片技术

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A (Tc)

Base Product Number

APT42F50

Package

Tube

Turn Off Delay Time

80 ns

包装

Tube

系列

POWER MOS 8™

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

625 W

配置

Single

通道数量

1 Channel

接通延迟时间

29 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

130mOhm @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6810 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170 nC @ 10 V

上升时间

35 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

42 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

6.81 nF

场效应管特性

-

最大rds

130 mΩ

辐射硬化

无