Microchip Technology APT45GP120B2DQ2G

包装/外壳

T-Max-3

安装类型

通孔

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Continuous Collector Current at 25 C

113 A

Pd - Power Dissipation

625 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Continuous Collector Current Ic Max

113 A

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Tradename

POWER MOS 7 IGBT

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

113 A

Base Product Number

APT45GP120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

600V, 45A, 5Ohm, 15V

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

625 W

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 45A

连续集电极电流

113 A

IGBT类型

PT

闸门收费

185 nC

集极脉冲电流（Icm）

170 A

Td（开/关）@25°C

18ns/100ns

开关能量

900µJ (on), 905µJ (off)

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

宽度

16.26 mm