Microchip Technology APT45GR65B

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.6 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Continuous Collector Current at 25 C

118 A

Pd - Power Dissipation

543 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Continuous Collector Current Ic Max

118 A

Gate-Emitter Leakage Current

250 nA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Tradename

Ultra Fast NPT-IGBT

Unit Weight

1.340411 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

92 A

Base Product Number

APT45GR65

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT45GR65B

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.26

包装

Tube

操作温度

-

系列

-

ECCN 代码

EAR99

Reach合规守则

compliant

配置

Single

功率耗散

543

输入类型

Standard

功率 - 最大

357 W

极性/通道类型

N-CHANNEL

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

最大耗散功率(Abs)

357 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 45A

集电极电流-最大值(IC)

92 A

连续集电极电流

118 A

IGBT类型

NPT

集电极-发射器电压-最大值

650 V

闸门收费

203 nC

集极脉冲电流（Icm）

168 A

Td（开/关）@25°C

15ns/100ns

开关能量

900µJ (on), 580µJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5 V

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

宽度

16.26 mm