APT45GR65B2DU30
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Microchip Technology APT45GR65B2DU30

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型号

APT45GR65B2DU30

utmel 编号

1610-APT45GR65B2DU30

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8

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APT45GR65B2DU30 Microchip Technology IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8

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APT45GR65B2DU30详情

Microchip Technology APT45GR65B2DU30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    通孔

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    650 V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.6 V

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    - 30 V, + 30 V

  • Continuous Collector Current at 25 C

    118 A

  • Pd - Power Dissipation

    543 W

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    650 V

  • 包装

    Tube

  • 最大功率耗散

    543 W

  • 配置

    Single

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.4 V

  • 最大集电极电流

    118 A

  • 反向恢复时间

    80 ns

0个相似型号

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