参数名
参数值
参数名
参数值
包装/外壳
D3PAK-3
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
D3 [S]
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Id - Continuous Drain Current
47 A
Rds On - Drain-Source Resistance
70 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V
Qg - Gate Charge
260 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
417 W
Channel Mode
Enhancement
Fall Time
8 ns
Forward Transconductance - Min
-
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Typical Turn-Off Delay Time
110 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
Unit Weight
0.218699 oz
Continuous Drain Current Id
47
Package
Tube
Base Product Number
APT47N60
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
微芯片技术
Power Dissipation (Max)
417W (Tc)
Product Status
活跃
Package Description
D3PAK-3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
APT47N60SC3G
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.24
Drain Current-Max (ID)
47 A
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
CoolMOS™
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
纯哑光锡
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
Single
通道数量
1 Channel
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
417
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 2.7mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7015 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
260 nC @ 10 V
上升时间
27 ns
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.07 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
141 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
1800 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
-
高度
21.46 mm
长度
16.26 mm
宽度
5.31 mm