Microchip Technology APT5016BLLG

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Id - Continuous Drain Current

30 A

Rds On - Drain-Source Resistance

160 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Qg - Gate Charge

72 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

329 W

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

14 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

27 ns

Typical Turn-On Delay Time

10 ns

Unit Weight

0.211644 oz

Continuous Drain Current Id

30

Package

Tube

Base Product Number

APT5016

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

329W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT5016BLLG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.11

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

30 A

包装

Tube

系列

APT5016

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

329

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2833 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72 nC @ 10 V

上升时间

10 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-247AD

漏极-源极导通最大电阻

0.16 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-