Microchip Technology APT50GN120L2DQ2G

包装/外壳

TO-264-3

安装类型

通孔

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Continuous Collector Current at 25 C

134 A

Pd - Power Dissipation

543 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Continuous Collector Current Ic Max

134 A

Gate-Emitter Leakage Current

600 nA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.373904 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

134 A

Base Product Number

APT50GN120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

800V, 50A, 2.2Ohm, 15V

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

配置

Single

功率耗散

543

输入类型

Standard

功率 - 最大

543 W

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 50A

连续集电极电流

134 A

IGBT类型

NPT, Trench Field Stop

闸门收费

315 nC

集极脉冲电流（Icm）

150 A

Td（开/关）@25°C

28ns/320ns

开关能量

4495µJ (off)

高度

5.21 mm

长度

26.49 mm

宽度

20.5 mm