Microchip Technology APT50GT120B2RDQ2G
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APT50GT120B2RDQ2G
1610-APT50GT120B2RDQ2G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
1最小包装量--
APT50GT120B2RDQ2G详情
Microchip Technology APT50GT120B2RDQ2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
通孔
RoHS
Details
Mounting Styles
通孔
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
1.340411 oz
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.2
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
94 A
Base Product Number
APT50GT120
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
Thunderbolt IGBT®
功率耗散
625
输入类型
Standard
功率 - 最大
625 W
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.7V @ 15V, 50A
连续集电极电流
94
IGBT类型
NPT
闸门收费
340 nC
集极脉冲电流(Icm)
150 A
Td(开/关)@25°C
24ns/230ns
开关能量
2330µJ (off)
APT50GT120B2RDQ2G拓展信息
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