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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥81.022176
10
¥76.436014
100
¥72.109444
500
¥68.027781
1000
¥64.177152
Microchip Technology APT6038SLLG
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- 对比
APT6038SLLG
1610-APT6038SLLG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
D3PAK-3
大陆
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MOSFET FG, MOSFET, 600V, 0.38_OHM, D3, TO-268, RoHSView in Development Tools Selector
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT6038SLLG详情
Microchip Technology APT6038SLLG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
D3PAK-3
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
D3 [S]
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Mounting Styles
SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.218699 oz
Package
Tube
Base Product Number
APT6038
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A (Tc)
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
APT6038SLLG
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.21
Drain Current-Max (ID)
17 A
包装
Tube
系列
POWER MOS 7®
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
380mOhm @ 8.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1850 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.38 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
68 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
960 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
-
APT6038SLLG拓展信息
Microchip Technology
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