APT6038SLLG
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Microchip Technology APT6038SLLG

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型号

APT6038SLLG

utmel 编号

1610-APT6038SLLG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

D3PAK-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET FG, MOSFET, 600V, 0.38_OHM, D3, TO-268, RoHSView in Development Tools Selector

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APT6038SLLG Microchip Technology MOSFET FG, MOSFET, 600V, 0.38_OHM, D3, TO-268, RoHSView in Development Tools Selector

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APT6038SLLG详情

Microchip Technology APT6038SLLG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    D3PAK-3

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    D3 [S]

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Unit Weight

    0.218699 oz

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    APT6038

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    17A (Tc)

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    APT6038SLLG

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROCHIP TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.21

  • Drain Current-Max (ID)

    17 A

  • 包装

    Tube

  • 系列

    POWER MOS 7®

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    380mOhm @ 8.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1850 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    43 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.38 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    68 A

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    960 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    -

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