Microchip Technology APT60N60SCSG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

D3PAK-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

D3Pak

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Unit Weight

0.218699 oz

Typical Turn-On Delay Time

30 ns

Typical Turn-Off Delay Time

100 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Forward Transconductance - Min

-

Fall Time

10 ns

Channel Mode

Enhancement

Pd - Power Dissipation

431 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Qg - Gate Charge

150 nC

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Rds On - Drain-Source Resistance

45 mOhms

Id - Continuous Drain Current

60 A

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Transistor Polarity

N-Channel

Mounting Styles

SMD/SMT

RoHS

Details

Continuous Drain Current Id

60

Package

Bulk

Base Product Number

APT60N60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

431W (Tc)

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

APT60N60SCSG

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROCHIP TECHNOLOGY INC

Risk Rank

2.06

Drain Current-Max (ID)

60 A

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

431 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

431

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 3mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7200 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

190 nC @ 10 V

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

60 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.045 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

230 A

输入电容

7.2 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1950 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

最大rds

45 mΩ