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价格梯度

内地含税价

1

￥70.271862
10

￥66.294212
100

￥62.541706
500

￥59.00161
1000

￥55.661893

Microchip Technology APT64GA90B2D30

Name: APT64GA90B2D30
Brand: Microchip Technology
SKU: 1610-APT64GA90B2D30
Price: 70.27 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT64GA90B2D30

品牌

Microchip Technology

utmel 编号

1610-APT64GA90B2D30

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3 Variant

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector

起订量

--最小包装量--

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APT64GA90B2D30 Microchip Technology IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector

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APT64GA90B2D30详情

技术参数

Microchip Technology APT64GA90B2D30重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-247-3 Variant
底架

通孔
RoHS

Details
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Unit Weight

0.283029 oz
Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5
Package

Tube
Current-Collector (Ic) (Max)

117 A
Base Product Number

APT64GA90
厂商

微芯片技术
Product Status

活跃
Test Conditions

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
Collector-Emitter Breakdown Voltage

900 V
Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V
包装

Tube
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

POWER MOS 8™
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

500 W
元素配置

Single
功率耗散

500
输入类型

Standard
功率 - 最大

500 W
集电极发射器电压(VCEO)

900 V
最大集电极电流

117 A
电压 - 集射极击穿（最大值）

900 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.1V @ 15V, 38A
连续集电极电流

117
IGBT类型

PT
闸门收费

162 nC
集极脉冲电流（Icm）

193 A
Td（开/关）@25°C

18ns/131ns
开关能量

1192µJ (on), 1088µJ (off)
辐射硬化

无

0个相似型号

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