Microchip Technology APT77N60BC6

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

质量

38.000013 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Id - Continuous Drain Current

77 A

Rds On - Drain-Source Resistance

37 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Qg - Gate Charge

260 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

481 W

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

8 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

110 ns

Typical Turn-On Delay Time

18 ns

Unit Weight

0.211644 oz

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

110 ns

Package

Tube

Base Product Number

APT77N60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

77A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

481W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT77N60BC6

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.25

Part Package Code

TO-247

Drain Current-Max (ID)

77 A

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

最大功率耗散

481 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

481 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

41mOhm @ 44.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.6V @ 2.96mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260 nC @ 10 V

上升时间

27 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

77 A

JEDEC-95代码

TO-247

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

77 A

漏极-源极导通最大电阻

0.041 Ω

漏源击穿电压

600 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

272 A

输入电容

13.6 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

1954 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

481 W

场效应管特性

-

漏源电阻

37 mΩ

最大rds

41 mΩ

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

宽度

16.26 mm

辐射硬化

无