Microchip Technology APT7F120B

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-247 [B]

质量

38.000013 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Id - Continuous Drain Current

7 A

Rds On - Drain-Source Resistance

1.57 Ohms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Qg - Gate Charge

80 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

335 W

Channel Mode

Enhancement

Tradename

Power MOS 8

Fall Time

13 ns

Forward Transconductance - Min

8 S

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

45 ns

Typical Turn-On Delay Time

14 ns

Unit Weight

0.211644 oz

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

Turn Off Delay Time

45 ns

Package

Tube

Base Product Number

APT7F120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

335W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Package Description

ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT7F120B

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.3

Part Package Code

TO-247AB

Drain Current-Max (ID)

7 A

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

零件状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

电阻

2.4 Ω

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

335 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

6.6 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

335 W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.9Ohm @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2565 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80 nC @ 10 V

上升时间

8 ns

漏源电压 (Vdss)

1.2 kV

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

7 A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

2.9 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28 A

输入电容

2.565 nF

DS 击穿电压-最小值

1200 V

雪崩能量等级（Eas）

575 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

1.57 Ω

最大rds

2.9 Ω

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

宽度

16.26 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

unknown

无铅

无铅