Microchip Technology APT8030LVRG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-264-3

安装类型

通孔

底架

通孔

供应商器件包装

TO-264 [L]

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800 V

Id - Continuous Drain Current

27 A

Rds On - Drain-Source Resistance

300 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Qg - Gate Charge

340 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

520 W

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

8 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

59 ns

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Unit Weight

0.352740 oz

Continuous Drain Current Id

27

Package

Tube

Base Product Number

APT8030

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

800 V

Turn Off Delay Time

59 ns

包装

Tube

系列

POWER MOS V®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

520 W

额定电流

27 A

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

520

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

300mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

510 nC @ 10 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

800 V

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

27 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

7.9 nF

信道型

N

场效应管特性

-

最大rds

500 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅